下面是小编为大家整理的电力用安全芯片测试回流焊要求、PCN变更要求,供大家参考。
附 录 A （资料性）
回流焊要求
回流焊剖面采用无铅工艺回流焊剖面,如图 A.1 所示。
图 A.1 无铅工艺回流焊剖面图 表 A.1 给出了不同封装厚度及体积条件下分类温度 T c 的选取方法。
表 A.1 无铅工艺下指定分级温度 T C 的选择方法
封装厚度 mm T C ℃
封装体积 ＜350mm3
封装体积 350mm3 ～2000mm 3
封装体积 ＞2000mm3
＜1.6 ＝260
＝260 ＝260 1.6～2.5 ＝260 ＝250 ＝245 ＞2.5 ＝260 ＝245 ＝245 表 A.2 给出了无铅工艺下供应商回流焊剖面峰值温度 Tp 的选择方法。
表 A.2 无铅工艺下供应商回流焊剖面峰值温度 T p 的选择方法
封装厚度 mm T p ℃ 封装体积 封装体积 封装体积
＜350mm3
350mm3 ～2000mm 3
＞2000mm3
＜1.6 ≥260 ≥260 ≥260 1.6～2.5 ≥260 ≥250 ≥245 ＞2.5 ≥260 ≥245 ≥245 表 A.3 给出了无铅工艺下用户回流焊剖面峰值温度 T p 的选择方法。
表 A.3 无铅工艺下用户回流焊剖面峰值温度 T p 的选择方法
封装厚度 mm T p ℃ 封装体积 ＜350mm3
封装体积 350mm3 ～2000mm 3
封装体积 ＞2000mm3
＜1.6 ≤260 ≤260 ≤260 1.6～2.5 ≤260 ≤250 ≤245 ＞2.5 ≤260 ≤245 ≤245 表 A.4 给出了无铅工艺下其它参数的选择方法。
表 A.4 无铅工艺下其它参数的选择方法 参数 要求 T smin
150℃ T smax
200℃ T s （T smin 到 T smax ）
60～120s 上升速率（T L 到 T P ）
最大 3℃/s T L （液相线温度）
217℃ t L （保持在 T L 温度之上的时间）
60~150s T P （峰值温度）
对于芯片供应商来说 T P ≥T C ，芯片用户来说，T P ≤T C
t p （T C -5 到 T C 温度范围内时间）
30s 25℃到峰值温度时间 最大 8min
3
附 录 B （资料性）
N PCN 变更要求
PCN 工艺变更可靠性测试项目见表 B.1。
表 B.1 PCN 工艺变更可靠性测试项目汇总 过程属性 HTOL LTOL HTSL NVCE/DR LU ESD/HBM ESD/CDM ASER THB/HAST TC uHAST EM H C I B T I T D D B 晶圆工艺 新型电路 ◎ ◎
√ √
主电路 √ ◎
◎ ◎ ◎
晶圆尺寸减小 5%~20%以上 √ ◎ ◎
√ √ √ √ √ ◎
◎ √ √
光刻工艺变化 ◎ ◎
◎ ◎
掺杂工艺变化 ◎
◎ ◎
√ √
多晶硅工艺变化 ◎
√
√
√ √ ◎
4 金属化 ◎
√
◎ √ ◎ √
栅氧化层 √ ◎
√
√ √ √ 层间介质（非低 k 介质）材料发生变化 ◎
◎
◎
√
◎ 低 K 介质材料发生变化 √
√
√ √
√
◎ 钝化层工艺变化 ◎
◎
◎ ◎ √
接触工艺变化 ◎
√ ◎
√
过孔工艺变化 ◎
√
√
晶圆直径发生变化 √ ◎ ◎ √
◎ ◎
◎ √ ◎
die 厚度 ◎
◎
√ √ √ √ √ √ 晶圆厂地点发生变化 √
√
◎ √ ◎
封装工艺
新封装 ◎
◎
◎
◎ √ √
引线框架
◎
封装尺寸，包括引脚间距
◎ ◎
引线键合
√
√ ◎
多芯片封装 die 分离
√ ◎
5
芯片粘接
√ ◎
注胶材料 ◎
√
√ √
基板材料
◎ √
基板表面处理工艺
◎
注胶工艺
◎
◎ √
装配地点
√ √
倒装芯片连接方法
◎
√ √
晶圆凸起材料或工艺
◎
√
√ √
晶圆凸点下金属层
√
√
◎ √
凸块地点
√
√
√
倒装芯片与基板之间填充
√
√
注：√-必做试验项目；◎-选做试验项目;ASER-加速软错误测试。
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